Theoretical study on the improvement of the doping efficiency of Al in 4H-SiC by co-doping group-IVB elements
作者：黄渊超; 王蓉; 钱怡潇; 张懿强; 杨德仁; 皮孝东
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由于p型掺杂剂的电离能较大，4hsiliconcarbide的p型掺杂效率较低。这个问题阻碍了半导体器件用4H-SiC的全面发展。在这项研究中，我们发现共掺杂IVB族元素有效地降低了使用最广泛的P型掺杂剂的电离能，即通过 这个 缺陷水平 排斥 之间 这个 能量 水平 属于 组别－ivb 元素 和 那个 属于 艾尔 在里面 4. h－sic 组别－ivb 元素 钛 有 这个 最 重要的 有效性：Ti使铝的电离能降低近50%，使其值低至～0.13eV，当掺杂浓度达到1018cm-3时，室温下Ti共掺杂铝的电离率比未共掺杂铝的电离率高约5倍。这项工作可以丰富IVB族元素如Ti和Al的共掺杂实验，从而显著提高4H-SiC的p型掺杂效率