为了满足射电天文学未来发展对倍频程10多种带宽接收性能的需求，实现在厘米波多波段的同时观测，利用法国OMMIC公司70nm　GaAs　mHEMT工艺研究设计了一款工作频率为0.3~8GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片。放大电路采用三级级联放大结构，芯片尺寸为2000m1000m。仿真结果表明，该芯片在室温下整个工作频段的增益大于40K，噪声温度大于65K，在8GHz下的最低噪声为51.4K，无条件稳定。该芯片的工作频率覆盖了传统天文观测的P、l、s、C和X五个波段，适合厘米波段超宽带接收机前端，满足未来毫米波中频带宽扩展的需求。