使用SilvacoTCAD软件建立PMOS设备模型。通过模拟得到了PMOS装置的总剂量效应。提取了受氧化层和界面陷阱电荷影响的器件电参数，验证了器件的退化程度。仿真结果表明，PMOS器件信道越短，有效信道长度和总信道长度越短，器件退化越严重。对长宽比为500nm/30的nm-PMOS装置进行了总剂量效应实验。实验表明，连续的射线照射会使设备性能下降，在阈值电压产生负漂移，并增加亚阈摆幅的变化。模拟结果和实验数据表明，浅沟隔离氧化层的陷阱电荷是导致器件退化的主要因素。