高功率微波可以通过雷达和电子战设备的天线进入设备。这种方式耦合能力强，峰值幅度大，容易造成电磁干扰或设备损坏。因此，有必要开展高功率微波对电子设备的影响和防护研究。针对目前设备级高功率微波效应研究较少的现状，以X波段微波接收前端为对象，采用注入法进行了高功率微波的损伤效应实验，获得了效应现象和数据。结果表明，在无限幅器受到保护的情况下，注入微波的峰值功率达到48.8dBm，单个脉冲会损坏微波接收前端的低噪声放大器。采用限幅器保护后，注入微波的峰值功率需要增加到60.7dBm，只有当脉冲数增加到100时才能实现微波接收前端的损坏。实验表明，能量沉积是损伤的必要条件。高功率微波通过峰值功率的短脉冲或长脉冲宽度脉冲串，对电子设备中的敏感器件造成损伤。综合利用峰值功率峰、脉冲宽度和脉冲数可以增强高功率微波的作用效果，分析了高功率微波武器典型参数对电子设备的作用距离和规律，为高功率微波效应评估和武器装备防护设计提供参考